Kvaliteetne ränikarbiid/smirgel

Ränikarbiidi protsessi voog: ülikõrge temperatuuriga keskkond: kuumutamine temperatuurini üle 2500 kraadi läbi plasma või kaare, et saavutada hetkeline reaktsioon. Kiire süntees: reaktsiooniaeg lüheneb mitme tunnini ja otse tekib kõrge puhtusastmega SiC.

Eelised: tootel on kõrge puhtusaste (＞99,9%) ja suurepärane kristallstruktuur.

Puuduvad vahesaadused, mis sobivad nanomõõtmelise SiC valmistamiseks. Puudused: kallid seadmed ja äärmiselt suur energiakulu. Tehnoloogia on raske ja raskesti rakendatav suures mahus. Kasutusala: tipptasemel väljad, nagu pooljuhid ja optilised katted. Muud protsessid: Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD): kasutatakse õhukese kile või monokristalli SiC jaoks, hind on äärmiselt kõrge. Sol-geel meetod: sobib väikeste nano-SiC partiide jaoks laboris ja industrialiseerimine on keeruline.

V: Ostja saadab päringu → hankige ränikarbiidi pakkumine → tellimuse kinnitus → Ostja korraldab 30% tagatisraha → Tootmine algas pärast tagatisraha laekumist → Range kontroll tootmise ajal → Ostja korraldab saldo makse → Pakkimine → Tarne vastavalt kaubandustingimustele

Kuum tags: kvaliteetne ränikarbiidi/smirgel, Hiina kvaliteetsed ränikarbiidi/smirgel tootjad, tarnijad, tehas